رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFD224
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFD224-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
المخزون:
13053325
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
mpO1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFD224 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
التغليف
Tube
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
630mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
260 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
4-HVMDIP
العبوة / العلبة
4-DIP (0.300", 7.62mm)
رقم المنتج الأساسي
IRFD224
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
100
اسماء اخرى
*IRFD224
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFD224PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2250
DiGi رقم الجزء
IRFD224PBF-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF9640SPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
IRFR9220PBF
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
IRFR224TRR
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
