رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SUD45P03-10-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SUD45P03-10-E3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V TO252
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 15A (Ta) 4W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12786123
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
ee8H
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SUD45P03-10-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
4W (Ta), 70W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SUD45
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
SUD45P0310E3
SUD45P03-10-E3DKR
SUD45P03-10-E3TR
SUD45P03-10-E3CT
SUD45P03-10-E3-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTD25P03LT4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8386
DiGi رقم الجزء
NTD25P03LT4G-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AOD403
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
17911
DiGi رقم الجزء
AOD403-DG
سعر الوحدة
0.41
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIE726DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
SIHD2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
SIHD7N60ET4-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
