رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFD113
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFD113-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
المخزون:
12904839
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
LViV
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFD113 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
800mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
800mOhm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
4-HVMDIP
العبوة / العلبة
4-DIP (0.300", 7.62mm)
رقم المنتج الأساسي
IRFD113
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFD113PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2315
DiGi رقم الجزء
IRFD113PBF-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZVN2106ASTZ
MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE
IRF9Z20PBF
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB
ZXMN10A07FTC
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
