رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK9J90E,S1E
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK9J90E,S1E-DG
وصف:
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
المخزون:
12890645
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
Lqeq
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK9J90E,S1E المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 900µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P(N)
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
TK9J90
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK9A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
2SJ610(TE16L1,NQ)
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
