رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK46A08N1,S4X
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK46A08N1,S4X-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 46A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
8 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890851
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
Ug3T
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK46A08N1,S4X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
46A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 500µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2500 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK46A08
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
264-TK46A08N1,S4X
TK46A08N1,S4X(S
TK46A08N1,S4X-DG
TK46A08N1S4X
TK46A08N1S4X-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK56A12N1,S4X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
53
DiGi رقم الجزء
TK56A12N1,S4X-DG
سعر الوحدة
0.78
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK6A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
TK31V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
SSM3J129TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
