رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK290A65Y,S4X
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK290A65Y,S4X-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
12889324
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
MVyD
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK290A65Y,S4X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
DTMOSV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
290mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 450µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
730 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK290A65
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK290A65YS4X(S
TK290A65YS4X
TK290A65Y,S4X(S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPA80R280P7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
486
DiGi رقم الجزء
IPA80R280P7XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.32
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA60R230P6XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
77
DiGi رقم الجزء
IPA60R230P6XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.13
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK100E10N1,S1X
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
SSM6P16FE(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
