رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK1K9A60F,S4X
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK1K9A60F,S4X-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
12891425
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
CLNY
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK1K9A60F,S4X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
U-MOSIX
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.9Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 400µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
490 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK1K9A60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK1K9A60FS4X(S
TK1K9A60F,S4X(S
TK1K9A60FS4X
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP5NK80ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
943
DiGi رقم الجزء
STP5NK80ZFP-DG
سعر الوحدة
1.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCPF2250N80Z
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
360
DiGi رقم الجزء
FCPF2250N80Z-DG
سعر الوحدة
1.39
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPCC8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
TK16E60W5,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
