رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM6K211FE,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM6K211FE,LF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
المخزون:
11977 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891694
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
hPlw
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM6K211FE,LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSIII
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
47mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
510 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
ES6
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
رقم المنتج الأساسي
SSM6K211
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
SSM6K211FE(TE85L,F
SSM6K211FETE85LF
SSM6K211FE(TE85LFDKR
SSM6K211FE,LF(CA
SSM6K211FELFCT
SSM6K211FE(TE85LFTR
SSM6K211FELFTR
SSM6K211FE(TE85LFTR-DG
SSM6K211FELFDKR
SSM6K211FE(TE85LFCT
SSM6K211FE(TE85LFDKR-DG
SSM6K211FE(TE85LFCT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK5A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
2SK2845(TE16L1,Q)
MOSFET N-CH 900V 1A DP
T2N7002BK,LM
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
