الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Tunisia
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Tunisia
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TT8K11TCR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
TT8K11TCR-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 3A 1W Surface Mount 8-TSST
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13527021
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
g
F
f
4
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TT8K11TCR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate, 4V Drive
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
71mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1A
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.5nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
140pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1W
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
8-TSST
رقم المنتج الأساسي
TT8K11
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
TSMT8 TR Taping Spec
وثائق الموثوقية
TSST8 MOS Reliability Test
موارد التصميم
TSST8D Inner Structure
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TT8K11TCRDKR
TT8K11TCRCT
TT8K11TCRTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SP8K2TB
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
SP8K31TB1
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
SP8K52FRATB
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
SH8K26GZ0TB
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP