الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Tunisia
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Tunisia
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RUR040N02HZGTL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RUR040N02HZGTL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 4A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT3
المخزون:
5736 قطع جديدة أصلية في المخزون
13080473
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
f
i
6
0
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RUR040N02HZGTL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
680 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TSMT3
العبوة / العلبة
SC-96
رقم المنتج الأساسي
RUR040
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
RUR040N02HZGTL
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
846-RUR040N02HZGTLDKR
846-RUR040N02HZGTLCT
846-RUR040N02HZGTLTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RTR030P02HZGTL
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
CMS06N10V8-HF
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8DFN
RCJ120N25TL
MOSFET N-CH 250V 12A LPT
CMS02P06T6-HF
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23-6