RCJ510N25TL
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RCJ510N25TL

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

RCJ510N25TL-DG

وصف:

MOSFET N-CH 250V 51A LPTS
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 1.56W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount LPTS

المخزون:

5032 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524946
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
POOz
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RCJ510N25TL المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
51A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
65mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.56W (Ta), 40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LPTS
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
RCJ510

مواصفات تقنية ومستندات

وثائق الموثوقية
LPTS MOS Reliability Test
موارد التصميم
LPTSNi Inner Structure
أوراق البيانات
RCJ510N25TL LPTS TL Taping Spec

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
RCJ510N25TLCT
RCJ510N25TLTR
RCJ510N25TLDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

RQ5H025TNTL

MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3

rohm-semi

RQ6P015SPTR

MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6

rohm-semi

RTR025N03TL

MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3

rohm-semi

US5U29TR

MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5