DTC115GU3T106
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DTC115GU3T106

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

DTC115GU3T106-DG

وصف:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3

المخزون:

5970 قطع جديدة أصلية في المخزون
13522866
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
bVKQ
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DTC115GU3T106 المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
100 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
82 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-70, SOT-323
حزمة جهاز المورد
UMT3
رقم المنتج الأساسي
DTC115

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DTC115GU3T106DKR
DTC115GU3T106TR
DTC115GU3T106CT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

DTC114ECAHZGT116

TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3

rohm-semi

DTC143XUAT106

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3

rohm-semi

DTC024EEBTL

TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F

rohm-semi

DTA124XMT2L

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3