رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMTS1D6N10MCTXG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMTS1D6N10MCTXG-DG
وصف:
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 36A (Ta), 273A (Tc) 5W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
المخزون:
2970 قطع جديدة أصلية في المخزون
12966315
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
vTB1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMTS1D6N10MCTXG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
36A (Ta), 273A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 650µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7630 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 291W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-DFNW (8.3x8.4)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
488-NTMTS1D6N10MCTXGDKR
488-NTMTS1D6N10MCTXGTR
488-NTMTS1D6N10MCTXGCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMTS1D6N10MCTXG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
9000
DiGi رقم الجزء
NVMTS1D6N10MCTXG-DG
سعر الوحدة
3.04
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI7840BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
SI5424DC-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
SIR826BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK