NTMFS4921NT3G

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTMFS4921NT3G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTMFS4921NT3G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN

وصف تفصيلي:

N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 870mW (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12840648

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

NYC9

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

NTMFS4921NT3G المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

8.8A (Ta), 58.5A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 11.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

6.95mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

25 nC @ 11.5 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1400 pF @ 12 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

870mW (Ta), 38.5W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

العبوة / العلبة

8-PowerTDFN, 5 Leads

رقم المنتج الأساسي

NTMFS4

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

NTMFS4921NT3G-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

5,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FQPF50N06L

MOSFET N-CH 60V 32.6A TO220F

onsemi

HUF75631SK8T

MOSFET N-CH 100V 5.5A 8SOIC

onsemi

FQPF9P25-T

MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3

onsemi

NTB5405NT4G

MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK