رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
KSD882YSTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
KSD882YSTU-DG
وصف:
TRANS NPN 30V 3A TO126-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 3 A 90MHz 1 W Through Hole TO-126-3
المخزون:
1492 قطع جديدة أصلية في المخزون
12923922
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
JqLa
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
KSD882YSTU المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
3 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 200mA, 2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
160 @ 1A, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
90MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126-3
رقم المنتج الأساسي
KSD882
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
60
اسماء اخرى
2832-KSD882YSTU
ONSONSKSD882YSTU
2156-KSD882YSTU-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
JAN2N708
TRANS NPN 15V TO18
JANTXV2N3506AL
TRANS NPN 40V 3A TO5
JAN2N5416UA
TRANS PNP 300V 1A TO5