رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQI4N90TU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQI4N90TU-DG
وصف:
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
المخزون:
12848946
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
cP97
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQI4N90TU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.3Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262 (I2PAK)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
FQI4N90
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2156-FQI4N90TU-OS
ONSONSFQI4N90TU
2832-FQI4N90TU
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD8870
MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
FQI5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
AOY66923
MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B