رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS3590
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS3590-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 6.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
1843 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838915
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS3590 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
39mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1180 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDS35
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS3590DKR
FDS3590TR
FDS3590CT
FDS3590-DG
2156-FDS3590-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN6040SSS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
18221
DiGi رقم الجزء
DMN6040SSS-13-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RS6N120BHTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1763
DiGi رقم الجزء
RS6N120BHTB1-DG
سعر الوحدة
1.14
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS6681Z
MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
AUIRFS6535
MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK
BSC340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
