رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
30C02SP-AC
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
30C02SP-AC-DG
وصف:
NPN SILICON TRANSISTOR
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 700 mA 540MHz 400 mW Through Hole 3-SPA
المخزون:
82500 قطع جديدة أصلية في المخزون
12930837
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
ilr7
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
30C02SP-AC المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
700 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
190mV @ 10mA, 200mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
300 @ 50mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
400 mW
التردد - الانتقال
540MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
-
تأهيل
-
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
3-SSIP
حزمة جهاز المورد
3-SPA
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,323
اسماء اخرى
2156-30C02SP-AC
ONSONS30C02SP-AC
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
Not applicable
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MMBTA92_D87Z
TRANS PNP 300V 0.5A SOT23-3
2N1700
NPN TRANSISTOR
2N1613
TRANS NPN 30V 0.5A TO39
