رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTE185
Product Overview
المُصنّع:
NTE Electronics, Inc
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTE185-DG
وصف:
TRANS PNP 80V 4A TO126
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 4 A 2MHz 40 W Through Hole TO-126
المخزون:
16 قطع جديدة أصلية في المخزون
12922879
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
WYYn
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTE185 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
تعبئة
Bag
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
4 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.4V @ 1A, 4A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1mA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
20 @ 1.5A, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
40 W
التردد - الانتقال
2MHz
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2368-NTE185
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
