رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTE165
Product Overview
المُصنّع:
NTE Electronics, Inc
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTE165-DG
وصف:
TRANS NPN 700V 5A TO3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 5 A 7MHz 12.5 W Through Hole TO-3
المخزون:
32 قطع جديدة أصلية في المخزون
12922911
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
B8U2
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTE165 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
تعبئة
Bag
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
700 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
5V @ 2A, 4.5A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1mA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
2.25 @ 4.5A, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
12.5 W
التردد - الانتقال
7MHz
درجة حرارة التشغيل
115°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-204AA, TO-3
حزمة جهاز المورد
TO-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2368-NTE165
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
