الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Tunisia
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Tunisia
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PBSS5112PAP,115
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PBSS5112PAP,115-DG
وصف:
TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 1A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
المخزون:
6000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12829554
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
l
m
T
e
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PBSS5112PAP,115 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
120V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
480mV @ 100mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
50 @ 500mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
510mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q100
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-UFDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
6-HUSON (2x2)
رقم المنتج الأساسي
PBSS5112
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
PBSS5112PAP
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
934066894115
2156-PBSS5112PAP,115
5202-PBSS5112PAP,115TR
NEXNEXPBSS5112PAP,115
NEXNXPPBSS5112PAP,115
568-10205-2
568-10205-1
568-10205-6-DG
568-10205-1-DG
568-10205-2-DG
1727-1077-6
2156-PBSS5112PAP,115-NEX
1727-1077-2
PBSS5112PAP
1727-1077-1
568-10205-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PHPT610030NKX
TRANS NPN 100V 3A LFPAK
BC846S,115
TRANS 2NPN 65V 0.1A 6TSSOP
PMBT3906VS,115
TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT666
BCM857BS,135
TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP