رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFX64N60P3
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFX64N60P3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 64A (Tc) 1130W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
المخزون:
1060 قطع جديدة أصلية في المخزون
12819941
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
puu3
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFX64N60P3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Polar3™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
64A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
95mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9900 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1130W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PLUS247™-3
العبوة / العلبة
TO-247-3 Variant
رقم المنتج الأساسي
IXFX64
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTK102N65X2
MOSFET N-CH 650V 102A TO264
IXFK44N60
MOSFET N-CH 600V 44A TO264AA
IXFX48N50Q
MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247-3
