رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFK90N20Q
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFK90N20Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
المخزون:
12822254
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
UhzB
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFK90N20Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Q Class
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
90A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
22mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-264AA (IXFK)
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
IXFK90
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
IXFK90N20Q-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFK170N25X3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
9
DiGi رقم الجزء
IXFK170N25X3-DG
سعر الوحدة
13.38
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFK170N20T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
5571
DiGi رقم الجزء
IXFK170N20T-DG
سعر الوحدة
8.72
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFK120N20P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFK120N20P-DG
سعر الوحدة
7.73
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTC200N10T
MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
IXTB62N50L
MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
PHD18NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
