رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFK52N30Q
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFK52N30Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 300V 52A TO264AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 52A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
المخزون:
12821945
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
lprp
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFK52N30Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
52A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-264AA (IXFK)
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
IXFK52
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTK60N50L2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
545
DiGi رقم الجزء
IXTK60N50L2-DG
سعر الوحدة
27.25
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOK60N30L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
174
DiGi رقم الجزء
AOK60N30L-DG
سعر الوحدة
2.55
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTA1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
IXTQ182N055T
MOSFET N-CH 55V 182A TO3P
IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
