رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFTS8342TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFTS8342TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 8.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
المخزون:
16344 قطع جديدة أصلية في المخزون
12822858
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
wCGZ
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFTS8342TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
19mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.35V @ 25µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.8 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
560 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
العبوة / العلبة
SOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
IRFTS8342
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
IRFTS8342TRPBFCT
IRFTS8342TRPBFTR
SP001552394
2156-IRFTS8342TRPBFTR
IRFTS8342TRPBFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP60R022S7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
IRL3713STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
BUK9618-55A,118
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
