رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPW65R065C7XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPW65R065C7XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
المخزون:
230 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804870
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
cGuT
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPW65R065C7XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ C7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
33A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 850µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3020 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
171W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IPW65R065
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
448-IPW65R065C7XKSA1
IPW65R065C7XKSA1-DG
SP001080116
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFH5007TR2PBF
MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
IPW65R190CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
IRF640NLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
