رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPP12CN10LGXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPP12CN10LGXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 69A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
886 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802703
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
hBkz
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPP12CN10LGXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
69A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 83µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5600 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP12CN10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
IPP12CN10L G
INFINFIPP12CN10LGXKSA1
2156-IPP12CN10LGXKSA1
SP000680864
IPP12CN10LG
IPP12CN10L G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFL024NTR
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
IPN50R800CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
IPU60R2K0C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
