IPP12CN10LGXKSA1
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IPP12CN10LGXKSA1

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

IPP12CN10LGXKSA1-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 69A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

المخزون:

886 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802703
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
hBkz
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IPP12CN10LGXKSA1 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
69A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 83µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5600 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IPP12CN10

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
IPP12CN10L G
INFINFIPP12CN10LGXKSA1
2156-IPP12CN10LGXKSA1
SP000680864
IPP12CN10LG
IPP12CN10L G-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IRFL024NTR

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223

infineon-technologies

IPN50R800CEATMA1

MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223

infineon-technologies

IPU60R2K0C6BKMA1

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3

infineon-technologies

IRF3515STRLPBF

MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK