IPD075N03LGATMA1
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IPD075N03LGATMA1

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

IPD075N03LGATMA1-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

المخزون:

17958 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801381
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
N45n
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IPD075N03LGATMA1 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1900 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
47W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-11
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD075

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
INFINFIPD075N03LGATMA1
IPD075N03LGINTR
IPD075N03LG
IPD075N03LGINTR-DG
IPD075N03LGATMA1CT
IPD075N03LGINDKR
IPD075N03LGATMA1TR
IPD075N03LGINCT-DG
IPD075N03LGINDKR-DG
IPD075N03L G
2156-IPD075N03LGATMA1
IPD075N03LGINCT
IPD075N03LGXT
IPD075N03LGATMA1DKR
SP000680634

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IPB79CN10N G

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

infineon-technologies

BSZ0945NDXTMA1

TRENCH <= 40V

infineon-technologies

BSP322PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

infineon-technologies

IPW65R080CFDAFKSA1

MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3