الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Tunisia
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Tunisia
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMN6A07FTC
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMN6A07FTC-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 1.2A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12905561
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
U
Z
b
F
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMN6A07FTC المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
166 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
625mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
ZXMN6
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
ZXMN6A07F
مخططات البيانات
ZXMN6A07FTC
ورقة بيانات HTML
ZXMN6A07FTC-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
CMPDM7002AHC TR PBFREE
المُصنِّع
Central Semiconductor Corp
الكمية المتاحة
14144
DiGi رقم الجزء
CMPDM7002AHC TR PBFREE-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
ZXMN6A07FQTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
3647
DiGi رقم الجزء
ZXMN6A07FQTA-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IRLML2060TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
20913
DiGi رقم الجزء
IRLML2060TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
ZXMN6A07FTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
936
DiGi رقم الجزء
ZXMN6A07FTA-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
2N7002K
المُصنِّع
Good-Ark Semiconductor
الكمية المتاحة
18342
DiGi رقم الجزء
2N7002K-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMN3F30FHTA
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
ZVP1320A
MOSFET P-CH 200V 70MA TO92-3
ZXMN6A08E6TC
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
ZVN4306AVSTOA
MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE