MMDT5401Q-7-F
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

MMDT5401Q-7-F

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

MMDT5401Q-7-F-DG

وصف:

SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 150V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363

المخزون:

12890203
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

MMDT5401Q-7-F المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
200mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
150V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 10mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
التردد - الانتقال
300MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
MMDT5401

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

MMDT3904V-7

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563

toshiba-semiconductor-and-storage

HN1C03FU-B,LF

NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20

toshiba-semiconductor-and-storage

ULN2803AFWG,C,EL

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL

toshiba-semiconductor-and-storage

HN1B04FE-GR,LF

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6